Исследования и разработки

Научно-исследовательские и опытно-конструкторские работы проводятся совместно с Инжиниринговым центром «Цифровые платформы» на базе ФГБОУ ВО «Дагестанский государственный университет». Совместные задачи касаются ряда направлений. Основными совместными задачами являются:

• Проектирование, сборка и реализация установок АСО/АСТ для осуществления процессов плазма-стимулированного атомно/молекулярно-слоевого осаждения и травления. Получение пассивирущих пленок оксида алюминия на кремниевой подложке с использованием ПСАСО установки;
• Разработка технологических процессов получения высокотемпературных покрытий с использованием молекулярно-слоевого осаждения.
• Тестирование нового вакуумного оборудования, электроники, программного обеспечения, систем нагрева, термостатирования и мониторинга процесса осаждения (КПМ) и т. д.
• Проектирование и сборка систем автоматизации технологических платформ атомно-слоевого осаждения.
• Проектирование и создание вакуумных камер в соответствии с техническим заданием заказчика.
• трансфер результатов научно-технической деятельности университета;
• решение задач импортозамещения

ПУБЛИКАЦИИ:

1. Amashaev R., Alikhanov N. Ismailov A. Abdulagatov I., Synthesis of Ultrathin Heteroepitaxial 3C- SiC films by The Thermal Treatment of Molecular Layer Deposition Polyamide Films on Si, Journal of Vacuum Science and Technology A, 2022, 40(5):052401. (Web of Science Core Collection, Scopus, RSCI).https://avs.scitation.org/doi/abs/10.1116/6.0001889
2. Amashaev R., Alikhanov N. Ismailov A. Abdulagatov I., Synthesis of Ultrathin Heteroepitaxial 3C- SiC films by The Thermal Treatment of Molecular Layer Deposition Polyamide Films on Si, Journal of Vacuum Science and Technology A, 2022, 40(5):052401. (Web of Science Core Collection, Scopus, RSCI).https://avs.scitation.org/doi/abs/10.1116/6.0001889
3. Abdulagatov A.I., Amashaev R.R., Ashurbekova K.N., Ramazanov Sh.M., Palchayev D.K.,  Rabadanov M.H.,  Abdulagatov I.M., Atomic-layer deposition of Y2O3 using tris (butylcyclopentadienyl) yttrium and water, Russian Microelectronicsjournal, 2019, Vol. 48, No. 1, pp. 1-12. (Scopus, RSCI).https://link.springer.com/article/10.1134/S1063739719010025
4. Abdulagatov A.I., Amashaev R.R., Ashurbekova K.N., Ashurbekova Ka.N., Rabadanov M.Kh., Abdulagatov I.M, Atomic-layer deposit of nitride and oxinitride of aluminum using tris (dimethylamide) of aluminum, ammonia and water, Journal of General Chemistry Russian journal of General Chemistry. 2018.Vol. 88. Iss. 8 (Web of Science Core Collection, Scopus, RSCI).https://www.semanticscholar.org/paper/Atomic-Layer-Deposition-of-Aluminum-Nitride-and-on-Abdulagatov-Amashaev/44ea6ccb93b9c8eea05ae3ae584bd0dd06125570
5. Abdulagatov A.I., Ashurbekova KN, Ashurbekova Ka.N., Amashaev RR, Rabadanov M.Kh., Abdulagatov I.M, Molecular-layer deposition and thermal transformations of Titanium (Aluminum) — Vanadium organo-oxide films, Journal of Applied Chemistry, 2018. V. 91. Issue 3. (Web of Science Core Collection, Scopus, RSCI). https://link.springer.com/article/10.1134/S1070427218030011
6. Patent RU 2749573 C9, Amashaev R.R., Abdulagatov I.M., Abdulagatov A.I., Rabadanov M.Kh., Method for Producing Thin Films of Silicon Carbide on Silicon by Pyrolysis of Polymer Membranes Obtained by Molecular Layer Deposition, 15.06.2021.
7. Patent, RU 2784496 C1, Amashaev R.R., Abdulagatov I.M., Abdulagatov A.I., Method for Forming Tungsten Carbide Films on Tungsten-Silicon Heterostructure by Pyrolysis of Polyamide films Produced by Molecular Layer Deposition, 09.06.2022.
8. Patent, RU 2795949 C1, R.R. Amashaev, S.Kh. Gadzhimagomedov, M.Kh. Rabadanov et. al, Manufacturing of YBCO gradient ceramic material using plasma processing, 15.05.2023.
9. Patent, RU 2799989 C1, Amashaev R.R., Umakhanov M.A., Isubgadzhiev Sh.M., Ismailov A.M., Method of magnetron sputtering of gallium oxide in direct current by doping it with silicon atoms, register, 14.07.2023.
10. Patent, RU 2800189 C1, Amashaev R.R., Isubgadzhiev Sh.M., S.P. Faradzhev, Ismailov A.M., Method for improving growth and adhesion of copper nanofilms on silicon substrates using molecular layer deposition technology, 19.07.2023.
11. Свидетельство о государственной регистрации, 2024612675, Amashaev R.R., Kurbanov M.M., Khalilov R.Sh., Software package for automating atomic layer deposition processes, 09.01.2024.