Для формирования тонкоплёночных структур, особенно на основе оксидов, эффективно подходят методы осаждения холодной плазмой, характеризующейся слабой ионизацией и температурой газа в интервале от ~40°С до ~150°С. Такие низкие температуры важны для выращивания структур на подложках, чувствительных к высоким температурам, особенно, таких как полимеры или органические соединения, так как при высоких температурах может возникать дефектность из-за термического воздействия на поверхность подложки, наследуемая в последующем и пленкой, или термическое разложение пленок, что является важной и требующей решения проблемой при производстве микроэлектронных устройств. Установка плазма-стимулированного атомно-слоевого осаждения помимо наличия полого катода предполагает также взаимосвязь с тремя дополнительными узлами: генератор высоких частот (300-600 Вт); согласующее устройство (300-600 Вт); и термостабилизатор рефрижераторный (чиллер). Выходной фланец полого катода стандарта 2,75CF из нержавеющей стали. Внутри фланца находится электроразрядная система, основанная на полом катоде. Полый катод будет обладать возможностью жидкостного охлаждения. Катод будет изготовлен в виде цилиндра из нержавеющей стали. Электрический потенциал на полый катод подается через металлические трубки охлаждения.