Оборудование

Данный аппарат предназначен для научно-исследовательских работ, АСО, МСО и АСТ. Объем рабочего пространства камеры – 1500 см³, общий внутренний диаметр – 179 мм см и высота – 100 мм. Максимальная температура подложки – 250˚C. Пленки могут осаждаться как на плоских подложках (кремниевые подложки диаметром до 140 мм), так и дисперсных материалах (в специальном держателе). В стандартной конфигурации возможно осаждение разнообразных пленок и их смесей, с использованием до 4 прекурсоров одновременно.

Установка предназначена плазма-стимулированного атомно-слоевого осаждения и травления, преимущественного для проведения научно-исследовательских работ, а также для мелкосерийного производства. В качестве подложки могут быть использованы кремниевые и некоторые другие подложки. Плазма генерируется в полом катоде, изготовленном из нержавеющей стали, что также снижает содержание примесей кислорода по сравнению с источниками плазмы, изготавливаемыми с использованием кварцевых трубок как, например, индуктивная плазма. Наличие источника плазмы позволяет осаждать пленки не только термическим способом (АСО, МСО и АСТ), но и плазма-стимулированным (ПС-АСО и ПС-АСТ). Это значительно расширяет спектр осаждаемых материалов. Использование плазмы позволяет значительным образом снизить температуру осаждения или травления некоторых материалов.

Предлагается опция продажи отдельно электроники (блока управления) и/или программного обеспечения. Блок электроники включает в себя контролер температуры (8 или 16 линий стандарт), питание для датчика давления, расходомера газа, блока соленоидов и т.д. Кроме этого, предлагается программное обеспечение (ПО), позволяющее устанавливать и читать температуру реактора и нагреваемых реагентов, активировать пневматические вентили по заданной программе, устанавливать поток газа носителя, читать данные датчика давления.

Для формирования тонкоплёночных структур, особенно на основе оксидов, эффективно подходят методы осаждения холодной плазмой, характеризующейся слабой ионизацией и температурой газа в интервале от ~40°С до ~150°С. Такие низкие температуры важны для выращивания структур на подложках, чувствительных к высоким температурам, особенно, таких как полимеры или органические соединения, так как при высоких температурах может возникать дефектность из-за термического воздействия на поверхность подложки, наследуемая в последующем и пленкой, или термическое разложение пленок, что является важной и требующей решения проблемой при производстве микроэлектронных устройств. Установка плазма-стимулированного атомно-слоевого осаждения помимо наличия полого катода предполагает также взаимосвязь с тремя дополнительными узлами: генератор высоких частот (300-600 Вт); согласующее устройство (300-600 Вт); и термостабилизатор рефрижераторный (чиллер). Выходной фланец полого катода стандарта 2,75CF из нержавеющей стали. Внутри фланца находится электроразрядная система, основанная на полом катоде. Полый катод будет обладать возможностью жидкостного охлаждения. Катод будет изготовлен в виде цилиндра из нержавеющей стали. Электрический потенциал на полый катод подается через металлические трубки охлаждения.